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3D NAND层数越来越高,SSD价格还会再跌吗?

根据外媒消息,西部数据公司日前宣布,已成功开发了其第五代3D NAND技术BiCS5,并借此继续保持其在业界提供先进闪存技术方面的领导地位。BiCS5技术为西部数据与铠侠株式会社(KIOXIA)共同开

根据外媒消息,西部数据公司日前宣布,已成功开发了其第五代3D NAND技术BiCS5,并借此继续保持其在业界提供先进闪存技术方面的领导地位。

BiCS5技术为西部数据与铠侠株式会社(KIOXIA)共同开发——后者的前身为东芝存储器株式会社,于2019年10月1日起正式更名。与上一代(BiCS4,96层堆栈)相比,BiCS5技术能够实现更高层数的堆栈——112层。这意味着BiCS5技术能够带来更高的闪存密度。

基于BiCS5技术的产品主要有TLC(Triple-Level Cell)和QLC(Quad-Level Cell)两种类型,以更优的成本,提供了可观的容量、性能和可靠性。这使得它成为解决互联网汽车、移动设备和人工智能相关的数据存储问题的理想选择。

西部数据已经开始生产512 Gb BiCS5 TLC存储芯片,预计到2020年下半年,BiCS5 SSD的商业产量将达到可观的水平,后续该公司将陆续提供更多容量选择。

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3D NAND层数年年增加,提高密度降低成本

就像机械硬盘提高容量密度主要靠增加碟数一样,增加堆栈的层数,也是NAND闪存提高密度的主要手段。事实上,西部数据并不是第一个实现堆栈层数破百的厂商。在2019年,SK海力士、三星都已先后实现了128层3D NAND技术,并开始逐步量产——这可能是目前业界已知的最高层数。

据业内人士预测,随着技术的升级,96层3D NAND将在2020年成为英特尔、三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等原厂的主要发力点,很有可能实现大规模普及,并逐步取代64层3DNAND。而向更高堆叠层数的追求也将在2020年继续进行,英特尔甚至将在今年推出144层QLC NAND。

从2013年24层3D NAND的推出,到如今的128层,堆叠层数的增长引发了业内的各种预测。2019年5月在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星曾公开表示,预计在未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层。

闪存价格走势并不明朗

堆叠层数的提高,毫无疑问将实现容量的提高以及单位成本的降低,也会在很大程度上对NAND闪存的价格产生影响。长期来看,闪存降价似乎是必然的。但短期内,闪存价格走势仍然不明朗——因为产品的定价往往受到多方面因素的影响。

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消费类NAND Flash综合价格指数走势图

来源:中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com,数据截止至2019年12月27日

以2019年NAND闪存市场行情走势为例,上半年和下半年呈现出完全不一样的走向。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2019上半年NAND 闪存价格持续下跌,一直延续到6月底。而下半年则经历了2次涨价,如今基本已涨回到2019年初的价位,部分闪存产品价格更是创历史高点。

同时值得注意的是,虽然2019年下半年NAND闪存价格有所回弹,但原厂的利润依然在同比下滑。例如,三星2019年Q4初步预计营收额为59兆韩元,同比下降0.5%,营业利润为7.1兆韩元,同比下降34.26%;美光2020财年Q1营收51.4亿美元,同比下滑35%,净利润为4.91亿美元,同比下滑85%。由此可见,NAND闪存的价格可能已临近“谷底”。

站在整个产业角度上来看,随着5G、AI等技术的进一步发展,特别是2020年5G应用的铺开,市场对于数据存储的需求将持续拔高。原厂可能会由此提升产能,再加上96层3D NAND技术的大范围普及,我们可以大胆预测,2020年闪存价格可能会有所下跌,但总体来说,这种下跌也许不会太明显。

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